中國觸摸屏網(wǎng)訊，新材料技術(shù)應(yīng)用可以從智能手機的常用面板尺寸一路延伸到20英寸以上的設(shè)備，而且其阻值，延伸性，彎曲性均優(yōu)于ITO薄膜。雖然，新材料技術(shù)在短時間內(nèi)無法全面取代ITO薄膜，但是新材料技術(shù)有著巨大的優(yōu)勢，而且從市場反應(yīng)上來看，應(yīng)用新材料技術(shù)生產(chǎn)的薄膜產(chǎn)品所占的比重在逐年提高。目前，石墨烯扔處于研發(fā)階段，距離量產(chǎn)還有很遠的距離。納米碳管工業(yè)化量產(chǎn)技術(shù)尚未完善，其制成的薄膜產(chǎn)品導(dǎo)電性還不能達到普通ITO薄膜的水平。因而，從技術(shù)發(fā)展與市場應(yīng)用綜合評價，金屬網(wǎng)格與納米銀線技術(shù)將是近期新興觸控技術(shù)的兩大主角。
未來移動終端、可穿戴設(shè)備、智能家電等產(chǎn)品，對觸摸面板的有著強勁需求，同時隨著觸控面板大尺寸化、低價化，以及傳統(tǒng)ITO薄膜不能用于可彎曲應(yīng)用，導(dǎo)電性及透光率等本質(zhì)問題不易克服等因素，眾面板廠商紛紛開始研究ITO的替代品，包括納米銀線、金屬網(wǎng)格、納米碳管以及石墨烯等材料。
金屬網(wǎng)格（MetalMesh）技術(shù)利用銀，銅等金屬材料或者氧化物等易于得到且價格低廉的原料，在PET等塑膠薄膜上壓制所形成的導(dǎo)電金屬網(wǎng)格圖案。其理論的最低電阻值可達到0.1歐姆/平方英寸，而且就有良好的電磁干擾屏蔽效果。但是受限于印刷制作的工藝水平，其所制得的觸控感測器圖樣的金屬線寬較粗，通常大于5um，這樣會導(dǎo)致在高像素下（通常大于200ppi）莫瑞干涉波紋非常明顯。莫瑞干涉指數(shù)碼產(chǎn)品顯示屏中像素，光學(xué)膜片以及觸控導(dǎo)電的金屬圖案，在水平和垂直方向上，規(guī)則對齊的像素和物體的精細規(guī)則圖案重疊式稍有偏差，則會出現(xiàn)的干擾波紋圖案。由于莫瑞干涉的存在，金屬網(wǎng)格技術(shù)制成的薄膜產(chǎn)品不適用在高分辨率智能手機，平板電腦等高分辨率的產(chǎn)品上，僅僅適用于觀測距離較遠的顯示器屏幕，例如臺式一體機器，筆記本電腦，智能電視等。
如果薄膜中金屬網(wǎng)格圖樣的線寬能夠大幅度下降，則能有效的降低金屬網(wǎng)格技術(shù)中的莫瑞干涉的問題，特別是如果金屬網(wǎng)格圖樣的線寬下降到1um左右，則該技術(shù)制成的薄膜同樣可以搭載在高分辨率的智能設(shè)備上。目前韓國三星公司利用微細線寬和圖樣化（Patterning）技術(shù)，將金屬網(wǎng)格圖樣的線寬由原來的5um~6um，縮減到3um左右。然而，欲將線寬大幅縮減并非易事，傳統(tǒng)的壓制印刷工藝無法滿足要求，需要采用黃光制程工藝，制作成本會大幅增加，而且會浪費原材料；過細的金屬線寬易在外力擠壓時斷裂；網(wǎng)格的阻值升高，對下游的控制IC芯片提出更高的靈敏度要求。因此，目前金屬網(wǎng)格技術(shù)如何在降低成本的同時，滿足多場景的下游應(yīng)用是一個難點，還需整個產(chǎn)業(yè)鏈進一步發(fā)展完善才行。
納米銀線（SNW，silvernanowire）技術(shù)，是將納米銀線墨水材料涂抹在塑膠或者玻璃基板上，然后利用鐳射光刻技術(shù)，刻畫制成具有納米級別銀線導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)圖案的透明的導(dǎo)電薄膜。由于其特殊的制成物理機制，納米銀線的線寬的直徑非常小，約為50nm，遠小于1um，因而不存在莫瑞干涉的問題，可以應(yīng)用在各種尺寸的顯示屏幕上。另外，由于線寬較小，銀線技術(shù)制成的導(dǎo)電薄膜相比于金屬網(wǎng)格技術(shù)制成的薄膜可以達到更高的透光率，例如3M公司采用微印壓法制成的薄膜產(chǎn)品可以達到89%透光率。再次，納米銀線薄膜相比于金屬網(wǎng)格薄膜具有較小的彎曲半徑，且在彎曲時電阻變化率較小，應(yīng)用在具有曲面顯示的設(shè)備，例如智能手表，手環(huán)等上的時候，更具有優(yōu)勢。
